MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 248-9688
- Referência do fabricante:
- STP65N045M9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | STP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 245W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 28.9mm | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Altura | 4.6mm | |
| Certificaciones y estándares | UL | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie STP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 245W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 28.9mm | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Altura 4.6mm | ||
Certificaciones y estándares UL | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El producto de STMicroelectronics es un MOSFET de potencia de canal N basado en la tecnología MDmesh DM9 de superconexión más innovadora, adecuado para MOSFET de media o alta tensión con RDS muy bajo por área acoplado con un diodo de recuperación rápida. La tecnología DM9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación de drenaje múltiple que permite una estructura de dispositivo mejorada. El producto resultante tiene uno de los valores de carga de puerta y resistencia de conexión más bajos entre todos los MOSFET de potencia de superconexión de conmutación rápida basados en silicio, por lo que es especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia excepcional.
Mejor FOM RDS en Qg del mundo entre los dispositivos basados en silicio
Calificación VDSS superior
Capacidad dv/dt superior
Excelente rendimiento de conmutación
Fácil de accionar
Probado 100 por ciento para avalancha
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