MOSFET STMicroelectronics STP10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 168-6991
Referência do fabricante:: STP10N60M2
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics STP10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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Preço unitário (Em Tubo de 50)**

0,841 €

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Unidades	Por unidade	Por Tubo**
50 - 50	0,841 €	42,05 €
100 - 200	0,799 €	39,95 €
250 - 450	0,757 €	37,85 €
500 - 700	0,715 €	35,75 €
750 +	0,673 €	33,65 €

**preço indicativo

Código RS:: 168-6991
Referência do fabricante:: STP10N60M2
Fabricante:: STMicroelectronics

ST*10N60M2 N-channel Low Qg Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	7,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	TO-220
Serie	MDmesh M2
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	600 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	85 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-25 V, +25 V
Longitud	10.4mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	13,5 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	4.6mm
Altura	15.75mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics STP10N60M2, VDSS 650 V, ID 7,5 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics