MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISZ0703NLSATMA1, VDSS 60 V, ID 56 A, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 232-6774
- Referência do fabricante:
- ISZ0703NLSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
7,02 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Informação de stock atualmente indisponível
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,404 € | 7,02 € |
| 50 - 120 | 1,262 € | 6,31 € |
| 125 - 245 | 1,178 € | 5,89 € |
| 250 - 495 | 1,096 € | 5,48 € |
| 500 + | 1,01 € | 5,05 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 232-6774
- Referência do fabricante:
- ISZ0703NLSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 56A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9.2mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 44W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 1.1 mm | |
| Altura | 3.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 56A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.2mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 44W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 1.1 mm | ||
Altura 3.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia OptiMOS PD de 60 V de Infineon está diseñado para aplicaciones de adaptador y USB-PD. Los productos ofrecen una aceleración rápida y plazos de entrega optimizados. Los MOSFET de baja tensión OptiMOS para suministro de alimentación permiten diseños con menos piezas, lo que permite reducir los costes de la lista de materiales. OptiMOS PD incluye productos de calidad en encapsulados compactos y ligeros.
Disponibilidad de nivel lógico
Excelente comportamiento térmico
100 % a prueba de avalancha
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 56 A, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 85 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 40 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFH7545TRPBF, VDSS 60 V, ID 85 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFH5406TRPBF, VDSS 60 V, ID 40 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 86 A, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISZ0702NLSATMA1, VDSS 60 V, ID 86 A, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines
