MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFH7545TRPBF, VDSS 60 V, ID 85 A, PQFN
- Código RS:
- 257-5818
- Referência do fabricante:
- IRFH7545TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
5,46 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Informação de stock atualmente indisponível
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,092 € | 5,46 € |
| 50 - 120 | 0,958 € | 4,79 € |
| 125 - 245 | 0,908 € | 4,54 € |
| 250 - 495 | 0,71 € | 3,55 € |
| 500 + | 0,542 € | 2,71 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 257-5818
- Referência do fabricante:
- IRFH7545TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 85A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.2mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 73nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.17mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 6 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 85A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.2mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 73nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.17mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 6 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de MOSFET de potencia strongIRFET de Infineon está optimizada para RDS bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones conmutadas a continuación <100 kHz
Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio
Amplio catálogo disponible
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 85 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 40 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFH5406TRPBF, VDSS 60 V, ID 40 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 56 A, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 86 A, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISZ0702NLSATMA1, VDSS 60 V, ID 86 A, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISZ0703NLSATMA1, VDSS 60 V, ID 56 A, PQFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines