MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 56 A, PQFN de 8 pines

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Código RS:
232-6773
Referência do fabricante:
ISZ0703NLSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

56A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PQFN

Serie

OptiMOS 5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.2mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

44W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

3.4mm

Anchura

1.1 mm

Longitud

3.4mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia OptiMOS PD de 60 V de Infineon está diseñado para aplicaciones de adaptador y USB-PD. Los productos ofrecen una aceleración rápida y plazos de entrega optimizados. Los MOSFET de baja tensión OptiMOS para suministro de alimentación permiten diseños con menos piezas, lo que permite reducir los costes de la lista de materiales. OptiMOS PD incluye productos de calidad en encapsulados compactos y ligeros.

Disponibilidad de nivel lógico

Excelente comportamiento térmico

100 % a prueba de avalancha

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