MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 56 A, PQFN de 8 pines

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Código RS:
232-6773
Referência do fabricante:
ISZ0703NLSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

56A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

OptiMOS 5

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.2mΩ

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

44W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

1.1 mm

Altura

3.4mm

Longitud

3.4mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia OptiMOS PD de 60 V de Infineon está diseñado para aplicaciones de adaptador y USB-PD. Los productos ofrecen una aceleración rápida y plazos de entrega optimizados. Los MOSFET de baja tensión OptiMOS para suministro de alimentación permiten diseños con menos piezas, lo que permite reducir los costes de la lista de materiales. OptiMOS PD incluye productos de calidad en encapsulados compactos y ligeros.

Disponibilidad de nivel lógico

Excelente comportamiento térmico

100 % a prueba de avalancha

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