MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 37 A, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 232-6759
- Referência do fabricante:
- ISC0803NLSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 232-6759
- Referência do fabricante:
- ISC0803NLSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 37A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 21.9mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 43W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 5.35mm | |
| Anchura | 1.2mm | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 37A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 21.9mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 43W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 5.35mm | ||
Anchura 1.2mm | ||
Longitud 6.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia OptiMOS PD de 100 V de Infineon está diseñado para aplicaciones de adaptador y USB-PD. Su encapsulado SuperSO8 ofrece una aceleración rápida y plazos de entrega optimizados. Los MOSFET de baja tensión OptiMOS para suministro de alimentación permiten diseños con menos piezas, lo que permite reducir los costes de la lista de materiales. OptiMOS PD incluye productos de calidad en encapsulados compactos y ligeros.
Disponibilidad de nivel lógico
Excelente comportamiento térmico
100 % a prueba de avalancha
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon ISC0803NLSATMA1, VDSS 100 V, ID 37 A, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -12 A, SO-8
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 6.5 A, SO-8
- MOSFET, N-Canal Infineon IRF9388TRPBF, VDSS -30 V, ID -12 A, SO-8
- MOSFET, N-Canal Infineon IRF7313TRPBF, VDSS 30 V, ID 6.5 A, SO-8
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 66 A, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 71 A, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 150 A, SO-8 de 8 pines