MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 6.5 A, SO-8

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 4000 unidades)*

1 104,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 27 de janeiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
4000 +0,276 €1 104,00 €

*preço indicativo

Código RS:
257-9300
Referência do fabricante:
IRF7313TRPBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SO-8

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Orificio pasante

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

46mΩ

Tensión directa Vf

780mV

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

La serie IRF de Infineon es el mosfet de potencia HEXFET de canal n doble de 30 V en un encapsulado SO 8.

Conformidad con RoHS

RDS(on) bajo

Valor nominal dv/dt dinámico

Conmutación rápida

MOSFET de canal N doble

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.