MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISC0803NLSATMA1, VDSS 100 V, ID 37 A, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
232-6760
Referência do fabricante:
ISC0803NLSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

37A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SO-8

Serie

OptiMOS 5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

21.9mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

43W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

5.35mm

Longitud

6.1mm

Anchura

1.2 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia OptiMOS PD de 100 V de Infineon está diseñado para aplicaciones de adaptador y USB-PD. Su encapsulado SuperSO8 ofrece una aceleración rápida y plazos de entrega optimizados. Los MOSFET de baja tensión OptiMOS para suministro de alimentación permiten diseños con menos piezas, lo que permite reducir los costes de la lista de materiales. OptiMOS PD incluye productos de calidad en encapsulados compactos y ligeros.

Disponibilidad de nivel lógico

Excelente comportamiento térmico

100 % a prueba de avalancha

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