MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 150 A, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
232-6756
Referência do fabricante:
ISC0802NLSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

150A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

OptiMOS 5

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.8mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

1.2mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

5.35mm

Longitud

6.1mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia OptiMOS PD de 100 V de Infineon está diseñado para aplicaciones de adaptador y USB-PD. Su encapsulado SuperSO8 ofrece una aceleración rápida y plazos de entrega optimizados. Los MOSFET de baja tensión OptiMOS para suministro de alimentación permiten diseños con menos piezas, lo que permite reducir los costes de la lista de materiales. OptiMOS PD incluye productos de calidad en encapsulados compactos y ligeros.

Disponibilidad de nivel lógico

Excelente comportamiento térmico

100 % a prueba de avalancha

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