MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF9388TRPBF, VDSS -30 V, ID -12 A, SO-8
- Código RS:
- 257-9336
- Referência do fabricante:
- IRF9388TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 257-9336
- Referência do fabricante:
- IRF9388TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11.9mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11.9mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRF de Infineon es un mosfet de potencia IRFET de canal p de -30 V en un encapsulado SO 8. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -12 A, SO-8
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 6.5 A, SO-8
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 57 A, SO-8
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF7313TRPBF, VDSS 30 V, ID 6.5 A, SO-8
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF6644TRPBF, VDSS 100 V, ID 57 A, SO-8
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS -12 V, ID -7.4 A, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF7329TRPBF, VDSS -12 V, ID -7.4 A, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -9.2 A, SO-8 de 8 pines