Módulo de potencia SiC onsemi NXH010P120MNF1PTG, VDSS 1200 V, F1-2PACK
- Código RS:
- 248-5824
- Referência do fabricante:
- NXH010P120MNF1PTG
- Fabricante:
- onsemi
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- 248-5824
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- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | F1-2PACK | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado F1-2PACK | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Módulo de SiC - topología de medio puente pack de 2 EliteSiC, 1.200 V, contactos de encaje a presión MOSFET SiC M1 de 10 mohm, material de interfaz térmica
El... de ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene un medio puente MOSFET SiC de 10 mohm/1.200 V y un termistor en un encapsulado F1.
Medio puente MOSFET SiC de 10 mohm/1.200 V
Opciones con material de interfaz térmica preaplicado y sin TIM preaplicado
Contactos de encaje a presión
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