Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal A2U12M12W2-F2, VDSS 1200 V, ID 75 A, ACEPACK 2, Mejora de 8
- Código RS:
- 249-6720
- Referência do fabricante:
- A2U12M12W2-F2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 249-6720
- Referência do fabricante:
- A2U12M12W2-F2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 75A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | A2U | |
| Encapsulado | ACEPACK 2 | |
| Tipo de montaje | Chasis | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 17mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 2.9V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 18 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 298nC | |
| Configuración de transistor | Trifásico | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | UL | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 75A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie A2U | ||
Encapsulado ACEPACK 2 | ||
Tipo de montaje Chasis | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 2.9V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 18 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 298nC | ||
Configuración de transistor Trifásico | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares UL | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El módulo de potencia STMicroelectronics representa una parte de una topología de inversor de 3 niveles tipo T que integra la tecnología avanzada de MOSFET de potencia de carburo de silicio. Este módulo aprovecha las propiedades innovadoras del material SiC de separación de banda ancha y un sustrato de alto rendimiento térmico. El resultado es una resistencia de conexión excepcionalmente baja por área de unidad y un excelente rendimiento de conmutación que es prácticamente independiente de la temperatura.
Topología de 3 niveles
Módulo de potencia ACEPACK 2
13 mΩ de RDS(on) típico de cada interruptor
Tensión de aislamiento con certificación UL de 2,5 kVrms
Sensor de temperatura NTC integrado
DBC basado en Cu-Al2O3-Cu
Pin de contacto de ajuste a presión
Un sensor NTC completa el diseño
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