MOSFET Vishay, N-Canal SiSH536DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 67.4 A, PowerPAK 1212-8SH, Mejora de 8 pines
- Código RS:
- 228-2928
- Referência do fabricante:
- SiSH536DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 228-2928
- Referência do fabricante:
- SiSH536DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 30 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 67.4 A | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8SH | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 8 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 3.25 mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 26.5 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | TrenchFET | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 16.6 nC | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 30 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 67.4 A | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8SH | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 8 | ||
Estándar de automoción No | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 3.25 mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 26.5 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie TrenchFET | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 16.6 nC | ||
The Vishay N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
Links relacionados
- MOSFET Vishay, N-Canal SiSH536DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 67.4 A, PowerPAK 1212-8SH, Mejora de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SiSS76LDN-T1-GE3, VDSS 70 V, ID 67.4 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SISHA04DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK 1212-8SH de 8 pines
- MOSFET, Canal P-Canal Vishay SISH521EDN-T1-GE3, VDSS -20 V, ID -104 A, Mejora, PowerPAK 1212-8SH de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIS468DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SiS110DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 14.2 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SiS178LDN-T1-GE3, VDSS 70 V, ID 45.3 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SiS176LDN-T1-GE3, VDSS 70 V, ID 42.3 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines