MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSS76LDN-T1-GE3, VDSS 70 V, ID 67.4 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- Código RS:
- 210-5018
- Referência do fabricante:
- SiSS76LDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
7,34 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 7990 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,734 € | 7,34 € |
| 100 - 240 | 0,72 € | 7,20 € |
| 250 - 490 | 0,572 € | 5,72 € |
| 500 - 990 | 0,485 € | 4,85 € |
| 1000 + | 0,40 € | 4,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 210-5018
- Referência do fabricante:
- SiSS76LDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 67.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 70V | |
| Serie | SiSS76LDN | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22.3nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 57W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.4 mm | |
| Altura | 0.83mm | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 67.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 70V | ||
Serie SiSS76LDN | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22.3nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 57W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.4 mm | ||
Altura 0.83mm | ||
Longitud 3.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Vishay de canal N de 70 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK 1212-8S.
MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja
Ajustado para el FOM RDS x QOSS más bajo
100 % RG y prueba UIS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 70 V, ID 67.4 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiS178LDN-T1-GE3, VDSS 70 V, ID 45.3 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiS176LDN-T1-GE3, VDSS 70 V, ID 42.3 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 70 V, ID 42.3 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 70 V, ID 45.3 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISS27DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 23 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI7121DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 9.6 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISA10DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines