MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSH892BDN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 20 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- Código RS:
- 228-2931
- Referência do fabricante:
- SiSH892BDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
7,48 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 5970 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,748 € | 7,48 € |
| 100 - 240 | 0,709 € | 7,09 € |
| 250 - 490 | 0,56 € | 5,60 € |
| 500 - 990 | 0,523 € | 5,23 € |
| 1000 + | 0,396 € | 3,96 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 228-2931
- Referência do fabricante:
- SiSH892BDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 30.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 29W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17.4nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 30.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 29W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17.4nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET POWERPAK de canal N de 100 V (D-S) de Vishay.
100 % Rg y UIS probados
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 20 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISS27DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 23 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI7121DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 9.6 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISA10DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIS468DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISA04DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISS23DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 27 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS60DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 181.8 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines