MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK 1212-8SH de 8 pines
- Código RS:
- 188-4896
- Referência do fabricante:
- SISHA04DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
885,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 05 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,295 € | 885,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 188-4896
- Referência do fabricante:
- SISHA04DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8SH | |
| Serie | SiSHA04DN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00215Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.93mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.3 mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8SH | ||
Serie SiSHA04DN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00215Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.93mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.3 mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET N-Channel 30 V (D-S).
MOSFET de potencia Gen IV de TrenchFET®
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISHA04DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK 1212-8SH de 8 pines
- MOSFET Vishay SiSH536DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 67,4 A, POWERPAK 1212-8SH de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 185.6 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 20 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 23 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 70 V, ID 42.3 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 70 V, ID 45.3 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 20 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines