MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo N-Canal SiSH536DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 67.4 A, PowerPAK 1212-8SH, Mejora de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
Opções de embalagem:
Código RS:
228-2929
Referência do fabricante:
SiSH536DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

67.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK 1212-8SH

Tipo de montaje

Superficie, Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.25mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16.6nC

Disipación de potencia máxima Pd

26.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N de 30 V (D-S) de Vishay.

Probado al 100 % Rg y UIS

Links relacionados