MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo N-Canal SiSH536DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 67.4 A, PowerPAK 1212-8SH, Mejora de 8 pines
- Código RS:
- 228-2929
- Referência do fabricante:
- SiSH536DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*
12,95 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 25 + | 0,518 € | 12,95 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 228-2929
- Referência do fabricante:
- SiSH536DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 67.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8SH | |
| Tipo de montaje | Superficie, Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.25mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 26.5W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 67.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8SH | ||
Tipo de montaje Superficie, Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.25mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 26.5W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N de 30 V (D-S) de Vishay.
Probado al 100 % Rg y UIS
Links relacionados
- MOSFET Vishay SiSH536DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 67,4 A, POWERPAK 1212-8SH de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISHA04DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK 1212-8SH de 8 pines
- MOSFET, Canal P-Canal Vishay SISH521EDN-T1-GE3, VDSS -20 V, ID -104 A, Mejora, PowerPAK 1212-8SH de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK 1212-8SH de 8 pines
- MOSFET Vishay SISS5708DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 33,8 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, 2elementos
- MOSFET Vishay SI7129DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 11,5 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SiSS61DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 111.9 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS60DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 181.8 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines