MOSFET Vishay SiSH536DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 67,4 A, POWERPAK 1212-8SH de 8 pines
- Código RS:
- 228-2929
- Referência do fabricante:
- SiSH536DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 228-2929
- Referência do fabricante:
- SiSH536DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 67,4 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de Encapsulado | POWERPAK 1212-8SH | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 8 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,00325 Ω | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.2V | |
| Material del transistor | Si | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 67,4 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 30 V | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de Encapsulado POWERPAK 1212-8SH | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 8 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 0,00325 Ω | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 2.2V | ||
Material del transistor Si | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
El MOSFET de canal N de 30 V (D-S) Vishay.
100 % Rg y UIS probados
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