Referência do fabricante

MOSFET Vishay, N-Canal SiR186LDP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 80.3 A, PowerPAK SO-8, Mejora de 8 pines

Código RS:: 228-2897
Referência do fabricante:: SiR186LDP-T1-RE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, N-Canal SiR186LDP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 80.3 A, PowerPAK SO-8, Mejora de 8 pines

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Código RS:: 228-2897
Referência do fabricante:: SiR186LDP-T1-RE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)	60 V
	Corriente continua máxima de drenaje (ld)	80.3 A
	Encapsulado	PowerPAK SO-8
	Modo de canal	Mejora
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)	0.0044 Ω
	Tipo de montaje	Superficie
	Serie	TrenchFET

	Selecionar tudo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 60 V
	Corriente continua máxima de drenaje (ld) 80.3 A
	Encapsulado PowerPAK SO-8
	Modo de canal Mejora
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 0.0044 Ω
	Tipo de montaje Superficie
	Serie TrenchFET

Datasheet - SiR186LDP-T1-RE3

The Vishay TrenchFET N-channel is 60 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

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