MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiR626DP, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Código RS:
735-140
Referência do fabricante:
SiR626DP
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0017Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

68nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

60V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

6mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

7mm

Altura

2mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
MOSFET de canal N de Vishay con valor nominal para tensión de drenaje-fuente de 60 V, optimizado para conmutación de alta eficiencia en convertidores dc/dc de servidor de potencia de IA y circuitos de rectificación síncronos. Alcanza una resistencia de conexión muy baja de 1,7 mΩ máximo a un accionamiento de puerta de 10 V para pérdidas de conducción mínimas en aplicaciones de alta corriente

Carga de puerta total típica de 52 nC para una conmutación rápida

Figura de mérito RDS(on) x Qg baja

Resistencia térmica máxima de unión a ambiente de 15 °C/W

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