MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiR638ADP, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 735-146
- Referência do fabricante:
- SiR638ADP
- Fabricante:
- Vishay
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
2,00 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,00 € |
| 10 - 24 | 1,30 € |
| 25 - 99 | 0,72 € |
| 100 - 499 | 0,71 € |
| 500 + | 0,70 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 735-146
- Referência do fabricante:
- SiR638ADP
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | SiR | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00088Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 110nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Tensión directa Vf | 40V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 6mm | |
| Altura | 2mm | |
| Longitud | 7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8 | ||
Serie SiR | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00088Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 110nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Tensión directa Vf 40V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 6mm | ||
Altura 2mm | ||
Longitud 7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal N de Vishay con valor nominal para tensión de drenaje-fuente de 40 V, optimizado para convertidores dc/dc de alta densidad de potencia en aplicaciones de servidor de IA. Proporciona una resistencia de conexión ultrabaja de 0,88 mΩ máximo a un accionamiento de puerta de 10 V para una eficiencia de conducción superior en circuitos de rectificación síncrona.
147S conductividad de trans forward
Carga de puerta total de 110 nC a 10 V VGS
Relación Qgd/Qgs inferior a 1 para una conmutación optimizada
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR638ADP-T1-UE3, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiR5102DP, VDSS 100 V, ID 100 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiR500DP, VDSS 30 V, ID 350.8 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiRA20DDP, VDSS 25 V, ID 337 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiDR500EP, VDSS 30 V, ID 421 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiDR510EP, VDSS 100 V, ID 148 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiDR402EP, VDSS 40 V, ID 291 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiR510DP, VDSS 100 V, ID 126 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines