MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiDR402EP, VDSS 40 V, ID 291 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Código RS:
735-145
Referência do fabricante:
SiDR402EP
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

291A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Serie

SiD

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00088Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

110nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10V

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Tensión directa Vf

40V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

6mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

2mm

Longitud

7mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
DE
MOSFET de canal N de Vishay con valor nominal para tensión de drenaje-fuente de 40 V, diseñado para rectificación síncrona de alta eficiencia en convertidores dc/dc de servidor de potencia de IA. Proporciona una resistencia de conexión ultrabaja de alrededor de 0,88 mΩ a un accionamiento de puerta de 10 V para minimizar las pérdidas de conducción en etapas de potencia de alta corriente.

Corriente de drenaje continua de 65 A a TA=25 °C

Figura de mérito RDS(on) x Qg baja para una conmutación óptima

Calificación de categorización de materiales para mayor fiabilidad

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