MOSFET, N-Canal Vishay SIR5710DP-T1-RE3, VDSS 150 V, ID 26.8 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

1 866,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Últimas unidades em stock
  • Última(s) 6000 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 +0,622 €1 866,00 €

*preço indicativo

Código RS:
268-8334
Referência do fabricante:
SIR5710DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

26.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0315Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Disipación de potencia máxima Pd

56.8W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.15mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de generación 5 de canal N TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos. Se utiliza en aplicaciones como rectificación síncrona, control de accionamiento de motor, fuentes de alimentación.

Cifra de mérito muy baja

Conforme con ROHS

Probado por UIS al 100 por ciento

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.