MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHB120N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 25 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
228-2841
Referência do fabricante:
SIHB120N60E-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

E

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

120mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 25 A - SIHB120N60E-T1-GE3


Este MOSFET de potencia es un dispositivo de canal N de alta tensión diseñado para tareas de conmutación y conversión de potencia en conjuntos de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para aplicaciones que requieren una tolerancia de tensión y un rendimiento térmico significativos al tiempo que cumple las directivas RoHS.

Características y ventajas:


• La resistencia de drenaje a fuente de 650 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 25 A admite corrientes de carga sustanciales
• La Rds(on) de 120 mΩ reduce las pérdidas de conducción en las vías de potencia
• La disipación de potencia de 179 W permite un manejo sostenido de la carga térmica
• La tolerancia de puerta de 30 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos
• Carga de puerta típica de 30 nC para una energía de conmutación predecible

Aplicaciones


• Apto para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Ideal para etapas de conmutación de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza para la conversión dc-dc en equipos de telecomunicaciones
• Puede utilizarse para circuitos de corrección de factor de potencia
• Adecuado para SAI y conmutación de gestión de baterías

¿Qué rango térmico puede tolerar este dispositivo durante el funcionamiento?


Está diseñado para funcionar a temperaturas de –55 a 150 °C, lo que permite su uso en entornos térmicos exigentes.

¿Cómo está encapsulado el dispositivo para el montaje en PCB?


Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TO-263 con tres terminales para un montaje en placa eficiente y disipación de calor.

¿Qué comportamiento de conmutación puedo esperar con respecto al accionamiento de puerta?


Con una tensión de fuente de puerta máxima de 30 V y una carga de puerta típica de 30 nC, los requisitos de accionamiento de puerta son moderados y previsibles para circuitos de accionamiento de puerta comunes.

¿Es esta pieza adecuada para aplicaciones específicas de automoción?


No está designado conforme a los estándares de automoción, por lo que no debe seleccionarse cuando se requiera certificación de automoción.

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