MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SiHH080N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 32 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- Código RS:
- 228-2873
- Referência do fabricante:
- SiHH080N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 228-2873
- Referência do fabricante:
- SiHH080N60E-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 32A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 70mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 184W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 32A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie E | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 70mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 184W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 32 A - SiHH080N60E-T1-GE3
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para tareas de control y conversión de potencia exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para aplicaciones de montaje en superficie en las que se requiere un rendimiento de conmutación compacto y robusto. El componente proporciona una capacidad de corriente continua sustancial al tiempo que admite altas tensiones de drenaje a fuente para usar en etapas de potencia industriales y electrónicas.
Características y ventajas:
• La clasificación de drenaje a fuente de 650 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 32 A admite la manipulación de carga sostenida
• La Rds(on) de 70 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La carga de puerta típica de 42 nC mejora el control de velocidad de conmutación
• La disipación de potencia de 184 W permite un rendimiento térmico significativo
• La temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C tolera uniones elevadas
• La corriente de drenaje continua de 32 A admite la manipulación de carga sostenida
• La Rds(on) de 70 mΩ reduce las pérdidas de conducción durante el funcionamiento
• La carga de puerta típica de 42 nC mejora el control de velocidad de conmutación
• La disipación de potencia de 184 W permite un rendimiento térmico significativo
• La temperatura de funcionamiento máxima de 150 °C tolera uniones elevadas
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta tensión
• Ideal para extremos frontales de accionamiento de motores industriales
• Se utiliza para etapas de corrección del factor de potencia en convertidores
• Se puede utilizar para patas de inversor resonantes y de conmutación dura
• Se utiliza con matrices de transistores discretos en módulos de gestión de potencia
• Ideal para extremos frontales de accionamiento de motores industriales
• Se utiliza para etapas de corrección del factor de potencia en convertidores
• Se puede utilizar para patas de inversor resonantes y de conmutación dura
• Se utiliza con matrices de transistores discretos en módulos de gestión de potencia
¿Qué rango de tensión de puerta es seguro para circuitos de control?
La puerta se puede accionar hasta 30 V en relación con la fuente
la lógica de control debe permanecer dentro de este límite para proteger el óxido de puerta.
¿Cómo afecta el encapsulado al diseño térmico a nivel de placa?
El encapsulado de montaje en superficie PowerPAK con cuatro contactos requiere vias térmicas o disipación térmica en la PCB para disipar hasta 184 W en condiciones especificadas.
¿Qué extremos ambientales puede soportar el dispositivo?
Está diseñado para un funcionamiento continuo de hasta -55 °C y hasta 150 °C, lo que permite su uso en amplias variaciones de temperatura ambiente y de unión.
¿Qué tipo de conducción de canal proporciona el dispositivo?
Se trata de un dispositivo de canal N de modo de mejora que conduce cuando se aplica una tensión de puerta a fuente positiva.
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