MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 50 A, N, HDSOP de 22 pines
- Código RS:
- 225-0577
- Referência do fabricante:
- IPDQ60R010S7AXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 750 unidades)*
9 606,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 03 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 750 + | 12,808 € | 9 606,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 225-0577
- Referência do fabricante:
- IPDQ60R010S7AXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | IPDQ60R010S7A | |
| Encapsulado | HDSOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 22 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 318nC | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 694W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 2.35 mm | |
| Altura | 21.06mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie IPDQ60R010S7A | ||
Encapsulado HDSOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 22 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 318nC | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 694W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 2.35 mm | ||
Altura 21.06mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El Infineon IPDQ60R010S7A es un MOSFET de alimentación de alta tensión diseñado como interruptor estático conforme al principio de superunión (SJ). El mosfet combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta clase que permite un bajo nivel de RDS (ON) en encapsulado QDPAK. La serie S7A está optimizada para conmutación de baja frecuencia y alta corriente. aplicación como disyuntores.
Minimiza las pérdidas de conducción
Aumenta la eficiencia energética
Diseños más compactos y sencillos
Menor coste de TCO o coste de BOM
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPDQ60R010S7AXTMA1, VDSS 600 V, ID 50 A, N, HDSOP de 22 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 50 A, N, HDSOP de 22 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPDQ60R010S7XTMA1, VDSS 600 V, ID 50 A, N, HDSOP de 22 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPQC60T010S7XTMA1, VDSS 600 V, ID 174 A, Mejora, PG-HDSOP-22 de 22 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPQC60R010S7XTMA1, VDSS 600 V, ID 50 A, Mejora, PG-HDSOP-22 de 22 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPDQ60R015CFD7XTMA1, VDSS 600 V, ID 149 A, Mejora, PG-HDSOP-22 de 22 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPDQ60T017S7AXTMA1, VDSS 600 V, ID 113 A, Mejora, PG-HDSOP-22 de 22 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPDQ60R007CM8XTMA1, VDSS 600 V, ID 288 A, Mejora, PG-HDSOP-22 de 22 pines