MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50R800CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4900
- Referência do fabricante:
- IPD50R800CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 222-4900
- Referência do fabricante:
- IPD50R800CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Serie | IPD50R | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 800mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.83V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 40W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Serie IPD50R | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 800mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.83V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 40W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.22mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon 500V CoolMOS™ CE es una plataforma optimizada para el rendimiento de precio que permite centrarse en aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al seguir cumpliendo los estándares de eficiencia más altos. La nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET de superunión de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento rentable disponible en el mercado.
Energía reducida almacenada en la capacitancia de salida (E OSS)
Resistencia de diodo de cuerpo alto
Carga de recuperación inversa reducida (Q rr )
Carga de puerta reducida (Q g )
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