MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50R800CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
Opções de embalagem:
Código RS:
222-4900
Referência do fabricante:
IPD50R800CEAUMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Serie

IPD50R

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

800mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

40W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.83V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.4nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.73mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.22 mm

Altura

2.41mm

Estándar de automoción

No

Infineon 500V CoolMOS™ CE es una plataforma optimizada para el rendimiento de precio que permite centrarse en aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al seguir cumpliendo los estándares de eficiencia más altos. La nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET de superunión de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento rentable disponible en el mercado.

Energía reducida almacenada en la capacitancia de salida (E OSS)

Resistencia de diodo de cuerpo alto

Carga de recuperación inversa reducida (Q rr )

Carga de puerta reducida (Q g )

Links relacionados