MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 6 A, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*

1 786,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 21 de janeiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
2000 - 20000,893 €1 786,00 €
4000 +0,848 €1 696,00 €

*preço indicativo

Código RS:
218-3115
Referência do fabricante:
IRFR825TRPBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3Ω

Disipación de potencia máxima Pd

119W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.83mm

Altura

9.65mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon de potencia de canal N sencillo serie HEXFET integrado con encapsulado tipo DPAK (TO-252). Este MOSFET se utiliza principalmente en SAI, SMPS, etc.

La menor carga de la compuerta tiene como resultado unos requisitos de accionamiento más sencillos.

El umbral de tensión de puerta superior ofrece mayor inmunidad al ruido.

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.