MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 6 A, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*

1 764,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 21 de abril de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
2000 - 20000,882 €1 764,00 €
4000 +0,838 €1 676,00 €

*preço indicativo

Código RS:
218-3115
Referência do fabricante:
IRFR825TRPBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3Ω

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

119W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.83 mm

Altura

9.65mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon de potencia de canal N sencillo serie HEXFET integrado con encapsulado tipo DPAK (TO-252). Este MOSFET se utiliza principalmente en SAI, SMPS, etc.

La menor carga de la compuerta tiene como resultado unos requisitos de accionamiento más sencillos.

El umbral de tensión de puerta superior ofrece mayor inmunidad al ruido.

Links relacionados