MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50R2K0CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 2.2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4379
- Referência do fabricante:
- IPD50R2K0CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 50 unidades)*
21,65 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 2000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,433 € | 21,65 € |
| 100 - 200 | 0,316 € | 15,80 € |
| 250 - 450 | 0,299 € | 14,95 € |
| 500 - 1200 | 0,277 € | 13,85 € |
| 1250 + | 0,256 € | 12,80 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-4379
- Referência do fabricante:
- IPD50R2K0CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.83V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 33W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.35mm | |
| Longitud | 6.65mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.83V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 33W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.35mm | ||
Longitud 6.65mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET Infineon de 500 V Cool MOS CE es una plataforma optimizada para precio de rendimiento que permite centrarse en aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al seguir cumpliendo los estándares de eficiencia más altos.
Proporciona una resistencia muy alta a la conmutación
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 2.2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 2.2 V, ID 90 A, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF40R207, VDSS 2.2 V, ID 90 A, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -40 V, ID -85 A, Mejora, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 31 A, Mejora, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50R650CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines