MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 2.2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
214-4378
Referência do fabricante:
IPD50R2K0CEAUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Serie

500V CoolMOS CE

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

33W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6nC

Tensión directa Vf

0.83V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.65mm

Altura

2.35mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon de 500 V Cool MOS CE es una plataforma optimizada para precio de rendimiento que permite centrarse en aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al seguir cumpliendo los estándares de eficiencia más altos.

Proporciona una resistencia muy alta a la conmutación

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