MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50R650CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 214-9041
- Referência do fabricante:
- IPD50R650CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 25 unidades)*
15,25 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 21 de outubro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,61 € | 15,25 € |
| 125 - 225 | 0,58 € | 14,50 € |
| 250 - 600 | 0,568 € | 14,20 € |
| 625 - 1225 | 0,532 € | 13,30 € |
| 1250 + | 0,494 € | 12,35 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-9041
- Referência do fabricante:
- IPD50R650CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 650mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 47W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Tensión directa Vf | 0.84V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.41mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 650mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 47W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Tensión directa Vf 0.84V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.41mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. CoolMOS CE es una plataforma optimizada para el rendimiento de precios que permite centrarse en aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al seguir cumpliendo los estándares de eficiencia más altos. La nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET Super Junction de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento rentable disponible en el mercado.
Fácil de usar/conducir
Resistencia a conmutación muy alta
Apto para aplicaciones de grado estándar
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 2.2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50R2K0CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 2.2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50R800CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -40 V, ID -85 A, Mejora, TO-252