MOSFET y Diodo, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 363 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 220-7471
- Referência do fabricante:
- IRF60SC241ARMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (800 unidades, em rolo de 800)*
1 725,60 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 800 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 2,157 € | 1 725,60 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 220-7471
- Referência do fabricante:
- IRF60SC241ARMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 363A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.95mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.4W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 311nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.2mm | |
| Altura | 4.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 9.45mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 363A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.95mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.4W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 311nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.2mm | ||
Altura 4.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 9.45mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los dispositivos MOSFET Infineon de potencia IRFET más recientes de 60 V están optimizados para RDS(on) de alta corriente y baja, lo que los convierte en la solución ideal para aplicaciones alimentadas por batería de alta corriente.
Baja RDS(on)
Capacidad de corriente alta
Carcasa estándar industrial
Configuración de contactos flexible
Optimizado para accionamiento de puerta de 10 V.
Reducción de las pérdidas de conducción
Mayor densidad de potencia
Sustitución directa de dispositivos existentes
Ofrece flexibilidad de diseño
Proporciona inmunidad al encendido falso en entornos ruidosos
Links relacionados
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IRF60SC241ARMA1, VDSS 60 V, ID 363 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 170 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 12 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 900 V, ID 15 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 70 A, Mejora, TO-263 de 3 pines