MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 170 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7379
- Referência do fabricante:
- IPB033N10N5LFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- IPB033N10N5LFATMA1
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- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 170A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 170A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El FET lineal Infineon OptiMOS es un enfoque revolucionario para evitar el equilibrio entre resistencia de estado de conexión (R DS(on)) y capacidad de modo lineal: Funcionamiento en la región de saturación de un MOSFET de modo mejorado. Ofrece el R DS(on) de vanguardia de un MOSFET Trench junto con el amplio área de funcionamiento seguro de un MOSFET planar clásico.
Combinación de R DS(on) bajo y área de funcionamiento segura amplia (SOA)
Corriente de impulso máx. Alta
Corriente de impulso continuo alta
Funcionamiento en modo lineal resistente
Bajas pérdidas de conducción
Mayor corriente de entrada activada para un arranque más rápido y una reducción de la corriente tiempo
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