MOSFET y Diodo, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 170 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código RS:: 220-7379
Referência do fabricante:: IPB033N10N5LFATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET y Diodo, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 170 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:: 220-7379
Referência do fabricante:: IPB033N10N5LFATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET y Diodo
	Corriente continua máxima de drenaje ld	170A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Serie	OptiMOS 5
	Encapsulado	TO-263
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	3.3mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	179W
	Temperatura de funcionamiento máxima	+150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET y Diodo
	Corriente continua máxima de drenaje ld 170A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Serie OptiMOS 5
	Encapsulado TO-263
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.3mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 179W
	Temperatura de funcionamiento máxima +150°C
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Datasheet - IPB033N10N5LFATMA1

MOSFET y diodo Infineon OptiMOS serie 5, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V, corriente de drenaje continua máxima de 170 A - IPB033N10N5LFATMA1

Este MOSFET y diodo es un dispositivo de potencia de montaje en superficie diseñado para conmutación de alta corriente en entornos térmicos exigentes. Combina un dispositivo de mejora de canal N con un diodo integrado en un encapsulado TO-263, lo que proporciona una solución compacta para tareas de conversión de potencia y conmutación en un amplio rango de temperaturas.

Características y ventajas:

• La clasificación de 100 V permite el funcionamiento en sistemas de media tensión
• La RDS(on) de 3,3 mΩ reduce las pérdidas por conducción bajo cargas pesadas
• La corriente de drenaje continua de 170 A admite aplicaciones de alta corriente
• La disipación de potencia de 179 W permite un funcionamiento de alta potencia sostenido
• La tensión del diodo de avance de 1,2 V minimiza las pérdidas de conmutación
• La tolerancia de puerta de 20 V permite tensiones de accionamiento de puerta flexibles

Aplicaciones

• Adecuado para conmutación primaria de fuente de alimentación de servidor
• Ideal para rectificación síncrona en convertidores
• Se utiliza para etapas de medio puente de accionamiento de motor
• Se puede utilizar para rutas de alta corriente de gestión de baterías
• Se utiliza con convertidores dc-dc que requieren baja pérdida de conducción

¿Qué rango de temperatura ambiente puede soportar durante el funcionamiento?

Está especificado para funcionar desde −55 °C hasta +150 °C.

¿Qué tipo de encapsulado y tipo de montaje deben planificar los diseñadores?

Se suministra en un encapsulado TO-263 diseñado para montaje en superficie en conjuntos de PCB.

¿Cómo se adapta el dispositivo a los diseños térmicos de alta corriente?

La combinación de una corriente nominal continua de 170 A y una disipación máxima de 179 W permite su uso en diseños donde se debe gestionar un calor considerable a través de almohadillas térmicas y de cobre para PCB.

¿Qué limitaciones de accionamiento de puerta deben observarse?

La tensión de fuente de puerta no debe exceder los 20 V para permanecer dentro de límites de funcionamiento seguros.

¿Qué características de conducción influyen en los cálculos de pérdida de potencia?

La baja resistencia de drenaje a fuente de 3,3 mΩ es el parámetro clave para estimar las pérdidas de conducción a la corriente de funcionamiento.