MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 900 V, ID 15 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7396
- Referência do fabricante:
- IPB90R340C3ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 15A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 900V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 340mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 94nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 208W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.57mm | |
| Longitud | 10.31mm | |
| Anchura | 9.45mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 15A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 900V | ||
Serie CoolMOS | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 340mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 94nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 208W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.57mm | ||
Longitud 10.31mm | ||
Anchura 9.45mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon 900V Cool MOS C3 es la tercera serie de Infineon de MOS fríos con entrada en el mercado en 2001. C3 es el "caballo de trabajo" de la cartera.
Resistencia de estado de conexión específica baja (RDS(on)*A)
Almacenamiento de energía muy bajo en capacitancia de salida (Eoss) a 400V
Carga de puerta baja (QG)
Calidad Cool MOS™ probada en campo
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