MOSFET y Diodo, N-Canal Infineon, VDSS 900 V, ID 15 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7396
- Referência do fabricante:
- IPB90R340C3ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
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- 220-7396
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 15A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 900V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 340mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 208W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 94nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.31mm | |
| Altura | 4.57mm | |
| Anchura | 9.45mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 15A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 900V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 340mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 208W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 94nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.31mm | ||
Altura 4.57mm | ||
Anchura 9.45mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon 900V Cool MOS C3 es la tercera serie de Infineon de MOS fríos con entrada en el mercado en 2001. C3 es el "caballo de trabajo" de la cartera.
Resistencia de estado de conexión específica baja (RDS(on)*A)
Almacenamiento de energía muy bajo en capacitancia de salida (Eoss) a 400V
Carga de puerta baja (QG)
Calidad Cool MOS™ probada en campo
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