MOSFET y Diodo, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7375
- Referência do fabricante:
- IPB019N08N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- IPB019N08N3GATMA1
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- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon OptiMOS es líder del mercado en soluciones muy eficientes para generación de energía (por ejemplo, microinversor solar), fuente de alimentación (por ejemplo, servidor y telecomunicaciones) y consumo de energía (por ejemplo, vehículo eléctrico).
Tecnología optimizada para convertidores dc-dc
Excelente carga de compuerta por producto R DS(ON) (FOM)
Resistencia térmica superior
Refrigeración de doble cara
Inductancia parásita baja
Perfil bajo (<0,7 mm)
Canal N, nivel normal
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