MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7381
- Referência do fabricante:
- IPB065N10N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 220-7381
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- IPB065N10N3GATMA1
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- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET Infineon 100V OptiMOS ofrecen soluciones superiores para SMPS de alta densidad de potencia y alta eficiencia. En comparación con la siguiente mejor tecnología, esta familia logra una reducción del 30% tanto en R DS(on) como en la cifra de mérito.
Excelente rendimiento de conmutación
R DS(on) más bajo del mundo
Q g y Q gd muy bajo
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
Respetuosa con el medio ambiente
Mayor eficiencia
Máxima densidad de potencia
Requiere menos conexión en paralelo
Consumo de espacio en placa más bajo
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