MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 151 A, Mejora, VSON de 5 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

7 452,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 01 de fevereiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 +2,484 €7 452,00 €

*preço indicativo

Código RS:
220-7428
Referência do fabricante:
IPL60R065P7AUMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Corriente continua máxima de drenaje ld

151A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

CoolMOS P7

Encapsulado

VSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

65mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

201W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

67nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

8.1mm

Anchura

8.1 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon 600V Cool MOS P7 Super Junction (SJ) es el sucesor de la serie 600V Cool MOS P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor R onxA de su clase y la carga de puerta (Q G) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS 7th garantizan su alta eficiencia.

El 600V P7 permite un excelente FOM RDS(on)xEoss y RDS(on)xQG

Resistencia ESD de ≥ 2kV (HBM clase 2)

Resistencia de puerta integrada RG

Diodo de cuerpo resistente

Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante

Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial

Los excelentes FOMs RDS(on) xQG / RDS(on) xEoss permiten una mayor eficiencia

Facilidad de uso en entornos de fabricación al detener fallos de ESD

RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET

El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante Como PFC y LLC

Excelente resistencia durante la conmutación dura del diodo del cuerpo visto En topología LLC

Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones finales y salida poderes

Piezas disponibles adecuadas para aplicaciones industriales y de consumo

Links relacionados