MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, VSON de 4 pines

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Código RS:
222-4682
Referência do fabricante:
IPL60R185C7AUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

VSON

Serie

CoolMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

185mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

24nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

77W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Anchura

8.1 mm

Longitud

8.1mm

Estándar de automoción

No

El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Producto ecológico (compatible con RoHS)

Certificación AEC Q101 de reflujo Peak MSL1 hasta 260 °C.

OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción

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