MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPL65R130C7AUMA1, VDSS 650 V, ID 15 A, Mejora, VSON de 5 pines
- Código RS:
- 214-9079
- Referência do fabricante:
- IPL65R130C7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
13,44 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 100 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 2,688 € | 13,44 € |
| 10 - 20 | 2,392 € | 11,96 € |
| 25 - 45 | 2,232 € | 11,16 € |
| 50 - 120 | 2,068 € | 10,34 € |
| 125 + | 1,908 € | 9,54 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-9079
- Referência do fabricante:
- IPL65R130C7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 15A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Encapsulado | VSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 130mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 102W | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Anchura | 8.1 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 15A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Encapsulado VSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 130mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 102W | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 8.1mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Anchura 8.1 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie CoolMOS C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta calidad. La gama de productos proporciona todas las ventajas de los MOSFET de súper unión de conmutación rápida que ofrecen mejor eficiencia, carga de puerta reducida, fácil implementación y excelente fiabilidad.
Fácil de usar/conducir gracias al contacto de fuente del controlador para mejorar control de la puerta
Apto para aplicaciones industriales conforme a JEDEC (J-STD20 Y JESD22)
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 15 A, Mejora, VSON de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, VSON de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPL60R185C7AUMA1, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, VSON de 4 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 151 A, Mejora, VSON de 5 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 100 A, Mejora, VSON de 5 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 97 A, Mejora, VSON de 5 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPL60R105P7AUMA1, VDSS 650 V, ID 100 A, Mejora, VSON de 5 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPL60R095CFD7AUMA1, VDSS 650 V, ID 97 A, Mejora, VSON de 5 pines