MOSFET y Diodo, N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 100 A, Mejora, VSON de 5 pines

Código RS:: 220-7432
Referência do fabricante:: IPL60R105P7AUMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET y Diodo, N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 100 A, Mejora, VSON de 5 pines

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Código RS:: 220-7432
Referência do fabricante:: IPL60R105P7AUMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET y Diodo
	Corriente continua máxima de drenaje ld	100A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Encapsulado	VSON
	Serie	CoolMOS P7
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	105mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	45nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Disipación de potencia máxima Pd	137W
	Tensión directa Vf	0.9V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	1.1mm
	Longitud	8.1mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	8.1mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET y Diodo
	Corriente continua máxima de drenaje ld 100A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Encapsulado VSON
	Serie CoolMOS P7
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 105mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Disipación de potencia máxima Pd 137W
	Tensión directa Vf 0.9V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 1.1mm
	Longitud 8.1mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 8.1mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - IPL60R105P7AUMA1

MOSFET y diodo CoolMOS serie P7 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 100 A - IPL60R105P7AUMA1

Este MOSFET y diodo es un dispositivo de conmutación de potencia de alta tensión diseñado para aplicaciones de montaje en superficie en contextos de conversión de potencia y conmutación. Combina un transistor de modo de mejora de canal N con un diodo integrado para manejar tensiones de fuente de drenaje elevadas y corrientes continuas sustanciales al tiempo que funciona en un amplio rango de temperaturas.

Características y ventajas:

• La potencia nominal de drenaje-fuente de 650 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 100 A admite la manipulación de cargas pesadas
• La Rds(on) máxima de 105 mΩ reduce las pérdidas por conducción en las etapas de potencia
• La disipación de potencia máxima de 137 W permite una carga térmica elevada
• La carga de puerta típica de 45 nC a Vgs de 20 V equilibra los requisitos de accionamiento
• El encapsulado de 5 pines VSON admite una integración compacta de montaje en superficie

Aplicaciones

• Adecuado para conmutación de lado primario SMPS en convertidores de alta tensión
• Ideal para fuentes de alimentación fuera de línea que requieren un diodo MOSFET de alta tensión
• Se utiliza para rectificación síncrona en diseños de convertidores de alta potencia
• Se puede utilizar para etapas frontales de accionamiento de motor industrial
• Apto para convertidores dc-dc que manejan una corriente continua considerable

¿Qué rango de tensión de accionamiento de puerta está permitido para un funcionamiento seguro?

El dispositivo acepta tensiones de fuente de puerta de hasta 20 V al tiempo que funciona como un dispositivo de canal N de modo de mejora.

¿Qué extremos térmicos puede soportar durante el funcionamiento?

Está especificado para un funcionamiento continuo de −40 a 150 °C.

¿Cómo influye el encapsulado en el montaje y el diseño?

El encapsulado de montaje en superficie de 5 contactos VSON permite un montaje de perfil bajo y una soldadura de PCB sencilla para montajes compactos.

¿Cuál es el presupuesto típico que deben tener los diseñadores de carga de conmutación en los controladores de puerta?

Espera una carga de puerta total típica de alrededor de 45 nC a la tensión de puerta nominal, lo que informa los cálculos de corriente de controlador y pérdida de conmutación.