MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 100 A, Mejora, VSON de 5 pines
- Código RS:
- 220-7432
- Referência do fabricante:
- IPL60R105P7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 220-7432
- Referência do fabricante:
- IPL60R105P7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | VSON | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 105mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 45nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 137W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado VSON | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 105mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 137W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 8.1mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon 600V Cool MOS P7 Super Junction (SJ) es el sucesor de la serie 600V Cool MOS P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor R onxA de su clase y la carga de puerta (Q G) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS 7th garantizan su alta eficiencia.
El 600V P7 permite un excelente FOM RDS(on)xEoss y RDS(on)xQG
Resistencia ESD de ≥ 2kV (HBM clase 2)
Resistencia de puerta integrada RG
Diodo de cuerpo resistente
Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante
Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial
Los excelentes FOMs RDS(on) xQG / RDS(on) xEoss permiten una mayor eficiencia
Facilidad de uso en entornos de fabricación al detener fallos de ESD
RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET
El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante Como PFC y LLC
Excelente resistencia durante la conmutación dura del diodo del cuerpo visto En topología LLC
Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones finales y salida poderes
Piezas disponibles adecuadas para aplicaciones industriales y de consumo
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