MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 151 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 220-7465
- Referência do fabricante:
- IPZA60R060P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 220-7465
- Referência do fabricante:
- IPZA60R060P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 151A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 67nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 164W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 21.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 151A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 67nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 164W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 21.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de súper unión MOS P7 Infineon 600V Cool es el sucesor de la serie 600V Cool MOS P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS 7th garantizan su alta eficiencia.
El 600V P7 permite un excelente FOM RDS(on)xEoss y RDS(on)xQG
Resistencia ESD de ≥ 2kV (HBM clase 2)
Resistencia de puerta integrada RG
Diodo de cuerpo resistente
Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante
Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial
Los excelentes FOMs RDS(on) xQG / RDS(on) xEoss permiten una mayor eficiencia
Facilidad de uso en entornos de fabricación al detener fallos de ESD
RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET
El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante Como PFC y LLC
Excelente resistencia durante la conmutación dura del diodo del cuerpo visto En topología LLC
Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones finales y salida poderes
Piezas disponibles adecuadas para aplicaciones industriales y de consumo
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