MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 85 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
229-1834
Referência do fabricante:
IPD85P04P4L06ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

85A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

IPD

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

88W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

5 V

Tensión directa Vf

-1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.3mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.22 mm

Longitud

6.5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia de nivel lógico de canal N Infineon se utiliza para aplicaciones de automoción. Tiene las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para la máxima eficiencia térmica. Se trata de encapsulados robustos con una calidad y fiabilidad superiores.

Cumple con RoHS y cuenta con certificación AEC

Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

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