MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 49 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
220-7408
Referência do fabricante:
IPD65R190C7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

49A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Serie

CoolMOS C7

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

900mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Disipación de potencia máxima Pd

72mW

Altura

2.41mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.22 mm

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

La serie Infineon Cool MOS C7 de MOSFET de súper unión es un paso adelante revolucionario en tecnología, que proporciona el RDS(on)/encapsulado más bajo del mundo y, gracias a sus bajas pérdidas de conmutación, mejoras de eficiencia en el rango de carga completa.

Tensión 650V

El mejor R DS(on)/paquete revolucionario de su clase

Energía reducida almacenada en capacitancia de salida (Eoss)

Bajar QG de carga de compuerta

Ahorro de espacio mediante el uso de encapsulados más pequeños o la reducción de piezas

12 años de experiencia en fabricación en tecnología de súper unión

Margen de seguridad mejorado y adecuado para SMPS y solar aplicaciones de inversor

Pérdidas de conducción/encapsulado más bajas

Pérdidas de conmutación bajas

Mejor eficiencia de carga ligera

Aumento de la densidad de potencia

Excelente calidad Cool MOS™

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