MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 8.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (2500 unidades, em rolo de 2500)*

765,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 27 de setembro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
2500 - 25000,306 €765,00 €
5000 +0,302 €755,00 €

*preço indicativo

Código RS:
215-2508
Referência do fabricante:
IPD70R600P7SAUMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Serie

700V CoolMOS P7

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

600mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10.5nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

10.5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET CoolMOS serie P7 de 700 V de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 700 V, corriente de drenaje continua de 8,5 A - IPD70R600P7SAUMA1


Este MOSFET es un transistor de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para aplicaciones de alimentación de montaje en superficie. Funciona en modo de mejora y está diseñado para circuitos que requieren una capacidad de tensión de drenaje-fuente elevada, al tiempo que proporciona un rendimiento de conducción moderado y un manejo térmico para diseños SMD compactos.

Características y ventajas:


• La clasificación drenaje-fuente de 700 V permite tareas de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 8.5 A admite conducción de carga sostenida
• La Rds(on) de 600 mΩ limita las pérdidas por conducción en diseños de potencia media
• La disipación de potencia máxima de 10,5 W permite un margen térmico fiable
• La carga de puerta típica de 10,5 nC proporciona transiciones de puerta más rápidas
• La tolerancia de puerta de ±20 V permite tensiones de accionamiento de puerta estándar

Aplicaciones


• Adecuado para fuentes de alimentación conmutadas de alta tensión
• Ideal para etapas de conversión de potencia del lado primario
• Se utiliza con topologías resonantes y con conmutación dura
• Puede utilizarse para balastos de iluminación industrial
• Empleado en módulos de potencia SMD compactos

¿Qué intervalo de temperatura puede soportar en funcionamiento?


Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, cubriendo amplios entornos térmicos.

¿Cuántas conexiones eléctricas presenta para el diseño de PCB?


El dispositivo tiene tres contactos en un encapsulado de montaje en superficie TO‐252 que requiere un diseño de huella SMD convencional.

¿Qué característica de conducción determina la caída de tensión durante el estado encendido?


La resistencia de encendido de 600 mΩ define la caída de tensión en una corriente de drenaje dada y afecta a las pérdidas de conducción.

¿Cómo afecta el accionamiento de puerta al rendimiento de conmutación?


La carga de puerta típica de 10,5 nC en condiciones de Vgs influye en la corriente de accionamiento y la velocidad de conmutación requeridas para una capacidad de controlador de puerta dada.

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.