MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPD65R190C7ATMA1, VDSS 700 V, ID 49 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7409
- Referência do fabricante:
- IPD65R190C7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
9,60 €
Adicione 45 unidades para obter entrega gratuita
Em stock
- 2465 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 + | 1,92 € | 9,60 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 220-7409
- Referência do fabricante:
- IPD65R190C7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 49A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 900mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 72mW | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 49A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 900mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 72mW | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie Infineon Cool MOS C7 de MOSFET de súper unión es un paso adelante revolucionario en tecnología, que proporciona el RDS(on)/encapsulado más bajo del mundo y, gracias a sus bajas pérdidas de conmutación, mejoras de eficiencia en el rango de carga completa.
Tensión 650V
El mejor R DS(on)/paquete revolucionario de su clase
Energía reducida almacenada en capacitancia de salida (Eoss)
Bajar QG de carga de compuerta
Ahorro de espacio mediante el uso de encapsulados más pequeños o la reducción de piezas
12 años de experiencia en fabricación en tecnología de súper unión
Margen de seguridad mejorado y adecuado para SMPS y solar aplicaciones de inversor
Pérdidas de conducción/encapsulado más bajas
Pérdidas de conmutación bajas
Mejor eficiencia de carga ligera
Aumento de la densidad de potencia
Excelente calidad Cool MOS™
Links relacionados
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 49 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 8.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 12.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD70R360P7SAUMA1, VDSS 700 V, ID 12.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD70R900P7SAUMA1, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD70R600P7SAUMA1, VDSS 700 V, ID 8.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines