MOSFET, N-Canal Infineon IPD70R1K4P7SAUMA1, VDSS 700 V, ID 4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 214-9047
- Referência do fabricante:
- IPD70R1K4P7SAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 214-9047
- Referência do fabricante:
- IPD70R1K4P7SAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 22.7W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 22.7W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.22mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET CoolMOS serie P7 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 700 V, corriente de drenaje continua máxima de 4 A - IPD70R1K4P7SAUMA1
Este MOSFET es un dispositivo de conmutación de alta tensión diseñado para aplicaciones de conversión de potencia y accionamiento. Funciona en un amplio rango de temperaturas y proporciona capacidad de conmutación de modo de mejora de canal N adecuada para conjuntos de montaje en superficie en sistemas eléctricos exigentes.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 700 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 4 A admite corrientes de carga moderadas
• La baja RDS(on) de 1,4 Ω reduce las pérdidas por conducción bajo carga
• La disipación de potencia de 22,7 W permite un manejo térmico sostenido
• La carga de puerta típica de 4.7 nC permite un control de conmutación eficiente
• La potencia nominal de la puerta de 16 V permite un amplio espacio para el accionamiento de la puerta
• La corriente de drenaje continua de 4 A admite corrientes de carga moderadas
• La baja RDS(on) de 1,4 Ω reduce las pérdidas por conducción bajo carga
• La disipación de potencia de 22,7 W permite un manejo térmico sostenido
• La carga de puerta típica de 4.7 nC permite un control de conmutación eficiente
• La potencia nominal de la puerta de 16 V permite un amplio espacio para el accionamiento de la puerta
Aplicaciones
• Adecuado para etapas de conmutación primarias SMPS
• Ideal para interruptores de medio puente accionados por motor
• Se utiliza con fuentes de alimentación industriales de alta tensión
• Puede utilizarse para la regulación de potencia en modo conmutado
• Adecuado para conjuntos de alimentación de montaje en superficie
• Ideal para interruptores de medio puente accionados por motor
• Se utiliza con fuentes de alimentación industriales de alta tensión
• Puede utilizarse para la regulación de potencia en modo conmutado
• Adecuado para conjuntos de alimentación de montaje en superficie
¿Qué rango térmico es aceptable para el funcionamiento?
Está especificado para funcionar desde −40 °C hasta 150 °C.
¿Qué tipo de encapsulado y método de montaje utiliza?
Se suministra en un encapsulado TO-252 y está diseñado para montaje en superficie.
¿Cuántos contactos están disponibles para la conexión de PCB?
Hay tres contactos eléctricos para la conexión MOSFET estándar.
¿Cuál es la tensión directa típica al conducir?
La tensión directa en condiciones especificadas es de 0,9 V.
¿Qué características del canal afectan al comportamiento del dispositivo?
Se trata de un dispositivo de modo de mejora de canal N con límites de puerta y drenaje especificados.
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