MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 214-9046
- Referência do fabricante:
- IPD70R1K4P7SAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
382,50 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 10.000 unidade(s) para enviar a partir do dia 18 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,153 € | 382,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-9046
- Referência do fabricante:
- IPD70R1K4P7SAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 22.7W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.41mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 22.7W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.41mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La última CoolMOS P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc. la nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET Super Junction de conmutación rápida, combinado con una excelente relación precio/rendimiento y un nivel de facilidad de uso de art. La tecnología cumple los más altos estándares de eficiencia y es compatible con alta densidad de potencia, lo que permite a los clientes ir hacia diseños muy compactos.
Tiene un excelente comportamiento térmico
Diodo de protección ESD integrado
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD70R1K4P7SAUMA1, VDSS 700 V, ID 4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 12.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 8.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD70R900P7SAUMA1, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD70R360P7SAUMA1, VDSS 700 V, ID 12.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD70R600P7SAUMA1, VDSS 700 V, ID 8.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 49 A, Mejora, TO-252 de 3 pines