MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB054N08N3GATMA1, VDSS 80 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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826-9178
Referência do fabricante:
IPB054N08N3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

52nC

Tensión directa Vf

1V

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

9.45 mm

Altura

4.57mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.31mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: Não aplicável

MOFSET de potencia Infineon OptiMOS™3, 60 a 80 V


Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

MOSFET de conmutación rápida para SMPS

Tecnología optimizada para convertidores dc/dc

Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino

Canal N, nivel lógico

Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)

RDS(on) de muy baja resistencia

Chapado sin plomo

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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