MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPB065N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
220-7383
Referência do fabricante:
IPB065N10N3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Los MOSFET Infineon 100V OptiMOS ofrecen soluciones superiores para SMPS de alta densidad de potencia y alta eficiencia. En comparación con la siguiente mejor tecnología, esta familia logra una reducción del 30% tanto en R DS(on) como en la cifra de mérito.

Excelente rendimiento de conmutación

R DS(on) más bajo del mundo

Q g y Q gd muy bajo

Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)

Respetuosa con el medio ambiente

Mayor eficiencia

Máxima densidad de potencia

Requiere menos conexión en paralelo

Consumo de espacio en placa más bajo

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