MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPB065N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7383
- Referência do fabricante:
- IPB065N10N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 220-7383
- Referência do fabricante:
- IPB065N10N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET Infineon 100V OptiMOS ofrecen soluciones superiores para SMPS de alta densidad de potencia y alta eficiencia. En comparación con la siguiente mejor tecnología, esta familia logra una reducción del 30% tanto en R DS(on) como en la cifra de mérito.
Excelente rendimiento de conmutación
R DS(on) más bajo del mundo
Q g y Q gd muy bajo
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
Respetuosa con el medio ambiente
Mayor eficiencia
Máxima densidad de potencia
Requiere menos conexión en paralelo
Consumo de espacio en placa más bajo
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