MOSFET, N-Canal Infineon IPB049N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
215-2496
Referência do fabricante:
IPB049N08N5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

OptiMOS 5 80V

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

49mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

53nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia industrial IPB049N08N5 OptiMOS™ 5 80V de Infineon ofrece una reducción RDS(on) del 43 % en comparación con las generaciones anteriores y es ideal para altas frecuencias de conmutación. Los dispositivos de esta familia están especialmente diseñados para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones. Además, también se pueden utilizar en otras aplicaciones industriales como energía solar, controladores de baja tensión y adaptadores.

Optimizado para rectificación síncrona

Ideal para alta frecuencia de conmutación

Reducción de capacitancia de salida hasta un 44 %

Reducción RDS(on) de hasta el 44%

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