MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 62 A, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
218-3112
Referência do fabricante:
IRFR48ZTRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

62A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

60nC

Disipación de potencia máxima Pd

91W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.73mm

Anchura

2.39 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

6.22mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon de potencia de canal N sencillo serie HEXFET. Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio.

Resistencia de encendido ultrabaja

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Conmutación rápida

Sin cables

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